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SLM2005E

200V低压驱动芯片

样片申请（qǐng）

SLM2005E Datasheet

产（chǎn）品概述

产品特性

安规认证

典型应用图

产品概述

SLM2005E 是一款高压、高速（sù）的功率（lǜ）MOSFET和（hé）IGBT驱（qū）动器。采用专有的高压集成电（diàn）路和锁存免（miǎn）疫的CMOS技（jì）术可（kě）提供可靠的单芯片驱动（dòng）方案。逻辑输（shū）入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最（zuì）低支持3.3V逻（luó）辑（jí）。输出驱（qū）动器具有（yǒu）高脉冲（chōng）电流缓冲级（jí），以减小驱动器（qì）交叉导（dǎo）通。浮动通道可用（yòng）于驱（qū）动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自（zì）举操作设计的浮动通道

完全运（yùn）行时（shí）电压高达 200V

容许瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱（qū）动电源范（fàn）围从（cóng） 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑（jí）

两（liǎng）通道间（jiān）匹配传输延迟

输出信号与输入信号同相

通过无铅认证