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SiLM27517H

单通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动（dòng）器

样（yàng）片申请

SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet

产品概述

产品特性

安（ān）规认（rèn）证

典型应（yīng）用图

产品概（gài）述

SiLM27517H 系列是单通道高欠压保护（hù）低边门极驱动（dòng）器，可有（yǒu）效驱（qū）动MOSFET和IGBT等功（gōng）率开关。SiLM27517H 采用一种能够（gòu）从内部（bù）极大（dà）的（de）降低直通电（diàn）流的设计（jì），将高峰值的源电（diàn）流和灌电（diàn）流脉冲（chōng）提供给电容负载，以实现轨到轨（guǐ）的驱动能力和典型值（zhí）仅为（wéi） 18ns 的极小传播延迟。

SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电（diàn）情况（kuàng）下（xià），能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低（dī）成本的门极驱动方案可用（yòng）于替代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的峰值源（yuán）电流和 5A 的峰值（zhí）灌（guàn）电流（liú）能（néng）力

快速的传播延时（典型（xíng）值为 18ns）

快速（sù）的上（shàng）升和下降时间（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范（fàn）围（wéi）

SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入（rù）逻辑电（diàn）压阈值

双输（shū）入设（shè）计(可（kě）选择反相或非反相驱动（dòng）配置)

输入（rù）浮空（kōng）时（shí）输出保持为低

工作温度范围为 -40°C 到（dào） 140°C