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    样片申请 | 简体中文（wén）
    SiLM534xAT系列
    40V, 1A - 4A 兼容光耦的单通道隔（gé）离驱动器
    样片申请
    SiLM534xAT Datasheet
    产品概述
    产（chǎn）品特性
    安规认证
    典型（xíng）应（yīng）用图（tú）
    产（chǎn）品概述

    SiLM534xAT是（shì）单通道兼容光耦（ǒu）的隔离式栅极驱动（dòng）器（qì）产品系（xì）列，适（shì）用于驱（qū）动IGBT、MOSFET。其峰值驱动电流从 1.0A到（dào）4.0A以及有不同的（de）UVLO电压。与光耦（ǒu）栅极驱（qū）动器相比，其性能和可靠性都得到显（xiǎn）著（zhe）的提升（shēng），同时保持了对光（guāng）耦栅（shān）极隔离（lí）驱动器管脚的兼（jiān）容。性能（néng）提升包括高共模瞬态抗扰（rǎo）度(CMTI)、低（dī）传播延迟和较小的脉宽失（shī）真（zhēn）。

    SiLM534xAT的输入级是一个“模拟二极管”，与传统光耦相比（bǐ），没有老化问（wèn）题，并具有高可靠（kào）性（xìng）。采用SOP6W-T的封装，爬电距离和空气间隙距离（lí）大于8mm。其相对漏电起痕指数(CTI)>400V。SiLM534xAT的（de）高性能和高可靠（kào）性（xìng）使其（qí）非常（cháng）适合用于所有类型的电机驱动器、太阳能（néng）逆变（biàn）器、工业电源和电器等。

    产（chǎn）品特性

    1.0A 到（dào） 4.0A 峰值输出（chū）电流

    110ns (最大) 传输延（yán）迟

    25ns (最大) 器件间延迟匹配

    35ns (最大) 脉宽失真

    150kV/us (最（zuì）小（xiǎo）) 共（gòng）模瞬态（tài）抗（kàng）扰度 (CMTI)

    30V 输入反向耐压能力（lì）

    管脚兼容光耦门极隔离（lí）驱动器

    提供 SOP6W-T 封装， 爬电距离和空气间（jiān）隙（xì）距（jù）离（lí） >8mm

    驱动（dòng）器输出电源电（diàn）压（yā）范围：
     - 10V到40V(SiLM5345/6T)
     - 14V到40V(SiLM5340/1/3T)

    工作结（jié）温范围, TJ: –40°C  ~  +150°C

    安（ān）规认证（zhèng）

    符合 UL 1577 1 分钟的（de） 5kVRMS

    符合 GB4943.1-2022 的（de） CQC 认证

    符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17): 2021-10 认（rèn）证（待定）

    符合 TUV IEC 61010-1: 2010+A1 和 IEC 62368-1: 2018 的认（rèn）证

    典（diǎn）型应用图（tú）

    产品参（cān）数表

    展开过滤器
    Part Number Power Switch Feature Input VCC (V) IOH/IOL(A) Output VCC/VDD (V) Prop. Delay (ns) CMTI (kV/μs) Min. VISO(Vrms) Operating Temp (℃) Package Group Packing/QTY
    SiLM5340ATCR-DGIGBT/MOSFETs--1.0/1.514 ~ 40751505000–40 ~ 125SOP6W-TReel/1000
    SiLM5341ATCR-DGIGBT/MOSFETs--3.0/4.514 ~ 40751505000–40 ~ 125SOP6W-TReel/1000
    SiLM5343ATCR-DGIGBT/MOSFETs--4.0/6.014 ~ 40751505000–40 ~ 125SOP6W-TReel/1000
    SiLM5345ATCR-DGIGBT/MOSFETs--1.0/1.510 ~ 40751505000–40 ~ 125SOP6W-TReel/1000
    SiLM5346ATCR-DGIGBT/MOSFETs--4.0/6.010 ~ 40751505000–40 ~ 125SOP6W-TReel/1000
    应用案（àn）例（lì）

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